مرجع مهندسی كنترل | دانش با کیفیت در مرز علم
در این پروژه هدف طراحی و ترسیم layout و شبیه‌سازی یک بلوک حافظه SRAM 8*8)، 64) بیتی با نرم افزار کیدنس در تکنولوژی 180 نانومتر cmos می‌باشد. SRAM 8*8 طراحی شده شامل: سلول‌های حافظه استاتیک، مدار پیش شارژ، sense amplifier، مالتی پلکسر، گیت‌های NAND ،AND، NOR و یک دیکدر سطر می‌باشد. مهمترین بخش این طراحی سلول حافظه می‌باشد. در این پروژه از ساختار Full CMOS 6T Cell برای آرایه‌های حافظه استفاده شده است.
ساختار گزارش پروژه:
گزارش این پروژه در نه فصل ارائه شده است. در فصل اول به بیان شرح مختصری از پروژه پرداختیم. در فصول دوم تا هشت نحوه طراحی و شبیه‌سازی بخش‌های مختلف SRAM 8*8 بیان شده و نتایج حاصل از این طراحی‌ها و همچنین پاسخ زمانی مدارات طراحی شده و تست‌های LVS و DRC ارائه گردیده است. در بخش نهم و انتهایی این گزارش به جمع‌بندی و تست‌نهایی SRAM 8*8 پرداختیم و نتایج شبیه‌سازی post layout، ابعاد بلوک نهایی، مقادیر توان استاتیک و دینامیک در فرکانس 200 مگاهرتز و زمان‌های نوشتن و خواندن داده صفر و یک و همچنین پارامتر EDP را در جدول گنجانده‌ایم.
محتویات فایل: Word و Pdf شامل 80 صفحه به همراه برنامه‌های کیدنس با تکنولوژی فایل 180 نانومتر (schematic ، symbol ، layout)
خلاصه‌ای از گزارش پروژه به صورت رایگان در پایین صفحه قرار داده شده است
برای یادگیری نرم افزار کیدنس اینجا کلیک کنید
قیمت اصلی ۶۰۰,۰۰۰ تومان بود.۳۵۶,۴۰۰ تومانقیمت فعلی ۳۵۶,۴۰۰ تومان است.Add to cart
